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트랜지스터 MOSFET 듀얼 N-Kanal Max Vdss 30V 드레인 스트롬 33A G33n03D3

트랜지스터 MOSFET 듀얼 N-Kanal Max Vdss 30V 드레인 스트롬 33A G33n03D3

개요 제품 설명 TRANSISTOR MOSFET 듀얼 N 채널 MAX VDSS 30V 드레인 전류 33A G33N03D3 당신이 좋아할 만한 데이터시트 제품에 대한 자세한 내용은 당사에 문의하십시오! 포장 및 배
공유하다

설명

기본정보
모델 번호.G33N03D3
인증RoHS 규제, ISO
형태SMD
기능스위치 트랜지스터
구조그라벤
캡슐화 구조플라스틱 밀봉 트랜지스터
파워 레벨중간 성능
재료규소
Vdss30V
ID33A
RDS11씨
PD20W
패키지dfn3.3*3.3
공유하다재고
조사사용 가능
블레이프레이-상태블레이프레이
Spq5000개/롤
운송 패키지판지
등록 상표편안
기원중국
HS 코드8541290000
상품 설명
상품 설명

트랜지스터 MOSFET 듀얼 N-Kanal MAX VDSS 30V 드레인스트롬 33A G33N03D3

품목 번호G33N03D3
VDSS30V
ID33A
RDS11mΩ bei vgs=4,5V
Vth0,66V
패키지DFN3.3*3.3
시스938pF
크르스99pF
데이터 시트

Transistor Mosfet Dual N-Channel Max Vdss 30V Drain Current 33A G33n03D3

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Transistor Mosfet Dual N-Channel Max Vdss 30V Drain Current 33A G33n03D3

포장 및 배송

Transistor Mosfet Dual N-Channel Max Vdss 30V Drain Current 33A G33n03D3

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우리는 MOSFET 제품의 전문 R&D 제조업체입니다. GOFORD SEMICONDUCTOR는 미국, 홍콩, 호주, 심천, 장쑤성에 지사를 두고 글로벌 기업으로 성장했습니다.

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