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제품

Ipw65r080cfdfksa1 N-Kanal 700V 43,3A(Tc) 391W(Tc) DIP-Mosfet-트랜지스터 Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

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IPW65R080CFDFKSA1 N 채널 700V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP MOSFET 트랜지스터 PG-TO247-3-1 IPW65R080CFD IPW65R080 IPW65Bom 서비스 제공/10
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설명

기본정보
모델 번호.IPW65R080CFD
형태SMD
기능모스펫
굵은 글씨체N채널
기술MOSFET(메탈옥시드)
드레인-소스 전압(Vdss)700V
25°C에서 연속 배수(ID)43.3A(TC)
구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)10V
RDS 켜짐(최대) @ ID, Vgs80m옴, 17,6A, 10V
Vgs(목)(최대) @ ID1.76mA에서 4.5V
게이트 라둥(Qg)(최대) @ Vgs10V에서 170NC
Vgs(최대)±20V
Vds에서 입력 커패시턴스(CISS)(최대)100V에서 5030PF
전력 손실(최대)391W(Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (Tj)
체결방식구멍을 통해
공급자의 장치 패키지비스-247-3
기본상품번호Ipw65r080
운송 패키지기준
사양기준
기원원래의
생산 능력10000 조각/일
상품 설명
IPW65R080CFDFKSA1 N 채널 700V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP MOSFET 트랜지스터 PG-TO247-3-1 IPW65R080CFD IPW65R080 IPW65Bom 서비스 제공/100,000종 이상의 전자 부품

일반

설명

범주

개별 반도체 제품

트랜지스터 – FET, MOSFET – 개별

제조업체

인피니언 테크놀로지스

시리즈

쿨모스™

패키지

로르

상품상태

새로운 디자인이 아닌

굵은 글씨체

N채널

기술

MOSFET(금속산화)

드레인-소스 전압(Vdss)

700V

전류 - 25°C에서 연속 배수(Id)

43.3A(TC)

구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On(최대) @ Id, Vgs

80m옴, 17,6A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.76mA에서 4.5V

게이트 라둥(Qg)(최대) @ Vgs

10V에서 170nC

Vgs(최대)

±20V

Vds에서의 입력 커패시턴스(Ciss)(최대)

100V에서 5030pF

굵게 기능

-

전력 손실(최대)

391W(Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

체결방식

구멍을 통해

공급자의 장치 패키지

PG-TO247-3-1

패키지/여행가방

TO-247-3

기본상품번호

IPW65R080

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

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Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

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