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Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet-Feldeffekt트랜지스터
제품 속성 관련 제품포장 유형응용 분야회사 정보우리 전시회FAQ
설명
기본정보
| 모델 번호. | IRFB4229PBF |
| 구조 | 평면 |
| 캡슐화 구조 | 칩 트랜지스터 |
| 파워 레벨 | 고 에너지 |
| 재료 | 규소 |
| 극성/채널 유형 | N채널 |
| 제품 번호 | Irfb4229pbf |
| 상태 | 새로운 오리지널 |
| 배송 방법 | DHL\UPS\FedEx\EMS\HK 우편물Dhl\UPS\FedEx\EMS\HK 우편물 |
| 범주 | 트랜지스터 |
| 기술 | 모스펫 |
| 운송 패키지 | 로르 |
| 사양 | 철과 플라스틱 |
| 기원 | 중국 |
상품 설명
제품 특징
굵은 글씨체 | N채널 |
기술 | MOSFET(금속산화) |
전류 - 25°C에서 연속 배수(Id) | 46A(Tc) |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴, 26A, 10V |
Vgs(일)(최대) @ Id | 250μA에서 5V |
Vgs(최대) | ±30V |
굵게 기능 | - |
전력 손실(최대) | 330W(Tc) |
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